Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109» с 26 декабря 2011 года переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук.
Главной целью института является:
  • Проведение фундаментальных и прикладных научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) полупроводниковой электроники
  • Электронные процессы в сверхвысокочастотных (СВЧ) приборах на квантово-размерных гетероструктурах и разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов
  • Технология и физика квантово-размерных гетероструктур
  • Микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетеростртуктурных СВЧ – приборов
  • Исследование новых классов СВЧ гетероструктурных приборов, и исследования в области нанотехнологии;
  • Расчет и моделирование гетероструктурных полевых и биполярных СВЧ-приборов на частоты до 200-250ГГц и выше
  • Разработка гетероструктурных монолитных СВЧ микросхем для бортовых радаров, широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий связи, высокочувствительных радиометров и т.д.

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за 1999 г. (2000 г. за разработку интегральных схем на арсениде галлия).

Директора ИСВЧПЭ РАН
Директор ИСВЧПЭ РАН с 2002 г. по 2008 г. член-корреспондент РАН Директор ИСВЧПЭ РАН с 2010 г. по н.в. д.т.н., профессор

В результате многолетних работ в ИСВЧПЭ РАН созданы:

  • Физические основы и технология молекулярно – лучевой эпитаксии гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 с двумерным электронным газом для изготовления СВЧ- и КВЧ- приборов, включая HEMT, PHEMT и MHEMT на подложках GaAs и InP.
  • Разработаны принципы проектирования и созданы библиотеки пассивных и активных элементов СВЧ и КВЧ МИС для перечисленных типов гетероструктур на подложках GaAs и InP , а также широкозонных полупроводников AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN, на подложках из сапфира и карбида кремния с рабочими частотами диапазонов 5-18 ГГц и 30-40 ГГц).
  • Разработана технология изготовления транзисторов и МИС, базирующаяся на современной электронно-лучевой литографии (нанолитограф RAITH150-TWO).Она позволяет изготавливать полевые транзисторы с длиной затворов до 50 нм и рабочими частотами до 100 ГГц на подложках GaAs и до 320 ГГц – на подложках InP.
  • Дальнейшее развитие научно-исследовательских и технологических работ ИСВЧПЭ РАН в ближайшей перспективе будет связано с созданием приборов и систем с рабочими частотами диапазонов 56-64 ГГц, 71-76 ГГц, 81-86 ГГц, 94-96 ГГц и 115-130 ГГц, максимально использующих заложенные природой возможности полупроводниковых гетероструктур A3В5, а также продолжатся и исследования, направленные на создание приборов субмиллиметрового диапазона длин волн (200 -300 ГГц и выше).

Подробнее, в рубрике «О нас пишут»