Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109», и расширен 25.12.2012 г. «Постановление Президиума РАН №279», а с 26 декабря 2011 года переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук.

С 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН является Федеральное агентство научных организаций (ФАНО России), которое утвердило новый Устав Института Приказом ФАНО России от 12 декабря 2014 г. № 1280.

Главной целью Института является проведение фундаментальных и прикладных научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.Основными направлениями научных исследований Института являются:

  • электронные процессы в сверхвысокочастотных (СВЧ) приборах на квантово-размерных гетероструктурах и разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • технология и физика квантово-размерных гетероструктур
  • микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов
  • расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных СВЧ-приборов на частоты до 200-250 ГГц и выше
  • разработка гетероструктурных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) для широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т.д.
  • исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц
  • расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц
  • создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за 1999 г. (2000 г. за разработку интегральных схем на арсениде галлия).

Директора ИСВЧПЭ РАН
Директор ИСВЧПЭ РАН с 2016 г. по н.в., д.т.н., профессор Директор ИСВЧПЭ РАН с 2010 г. по 2016 г. д.т.н., профессор Директор ИСВЧПЭ РАН с 2002 г. по 2008 г. член-корреспондент РАН

В результате многолетних работ в ИСВЧПЭ РАН созданы:

  • Физические основы и технология молекулярно – лучевой эпитаксии гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 с двумерным электронным газом для изготовления СВЧ- и КВЧ- приборов, включая HEMT, PHEMT и MHEMT на подложках GaAs и InP.
  • Разработаны принципы проектирования и созданы библиотеки пассивных и активных элементов СВЧ и КВЧ МИС для перечисленных типов гетероструктур на подложках GaAs и InP , а также широкозонных полупроводников AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN, на подложках из сапфира и карбида кремния с рабочими частотами диапазонов 5-18 ГГц и 30-40 ГГц).
  • Разработана технология изготовления транзисторов и МИС, базирующаяся на современной электронно-лучевой литографии (нанолитограф RAITH150-TWO).Она позволяет изготавливать полевые транзисторы с длиной затворов до 50 нм и рабочими частотами до 100 ГГц на подложках GaAs и до 320 ГГц – на подложках InP.
  • Дальнейшее развитие научно-исследовательских и технологических работ ИСВЧПЭ РАН в ближайшей перспективе будет связано с созданием приборов и систем с рабочими частотами диапазонов 56-64 ГГц, 71-76 ГГц, 81-86 ГГц, 94-96 ГГц и 115-130 ГГц, максимально использующих заложенные природой возможности полупроводниковых гетероструктур A3В5, а также продолжатся и исследования, направленные на создание приборов субмиллиметрового диапазона длин волн (200 -300 ГГц и выше).

Подробнее, в рубрике «О нас пишут»