Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:
Заведующего лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «инженер-физик»; наличие степени — 1 вакансия;
Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «инженер-физик» наличие степени — 1 вакансия;
Заведующего лабораторией Исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ-транзисторов на их основе; специальность — «инженер-физик» наличие степени — 1 вакансия;
Научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «инженер электронной техники»; -1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «физика твердого тела» — 1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика твердого тела» наличие степени — 1 вакансия;
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 16 декабря 2011 г. по 16 февраля 2012 г. включительно.
Телефон для справок: 8-499-123-62-22
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru