Институт

В соответствии с «Протоколом совместного совещания РАН и РАСУ» от 21.09.2001 г. принято решение о формировании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), который создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109», и расширен 25.12.2012 г. «Постановление Президиума РАН №279», а с 26 декабря 2011 года переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук.

ИСВЧПЭ РАН коллектив

С 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН являлось Федеральное агентство научных организаций(ФАНО России)

Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 изменено название на Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук.

С 27.06.2018 г. учредителем ИСВЧПЭ РАН является Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (МИНОБРНАУКИ России) — распоряжение Правительства Российской Федерации от 27.06.2018 г. № 1293-р   Приказом МИНОБРНАУКИ России от  06.08.2018  № 582  утвержден  новый   Устав Института.

В соответствии с распоряжением Правительства РФ от 07 февраля 2023 года № 268-р ИСВЧПЭ РАН​ включен в перечень организаций, в отношении которых федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» осуществляет от имени Российской Федерации полномочия учредителя и собственника имущества.

Главной целью Института является проведение фундаментальных и прикладных научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.

Осуществление деятельности, связанной с правовой охраной и использованием результатов интеллектуальной деятельности, полученных Институтом, в соответствии с законодательством Российской Федерации.

Основными направлениями научных исследований Института в соответствие с «Постановление Президиума РАН
№ 109» от 16 апреля 2002 г. являются:

  • электронные процессы в сверхвысокочастотных (СВЧ) приборах на квантово-размерных гетероструктурах и разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
  • технология и физика квантово-размерных гетероструктур
  • микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов
  • расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных СВЧ-приборов на частоты до 200-250 ГГц и выше
  • разработка гетероструктурных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) для широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т.д.
    И расширены направления исследований в соответствие «Постановление Президиума РАН №279»
    от 25.12.2012 г.»
  • исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц
  • расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц
  • создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за 1999 г. (2000 г. — за разработку интегральных схем на арсениде галлия). «Премии Ленинского Комсомола» (1978 г. – за новые физические принципы создания твердотельных функциональных устройств), «Премии имени А.А.Расплетина» (2015 г. – за серию работ «теоретические и практические основы создания монолитных интегральных схем со встроенными антеннами для миллиметрового диапазона длин волн)» , «Медали Российской академии наук с премией для молодых ученых России» ( 2018 г. – за работу «Разработка и исследование квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона частот)»

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за 1999 г. (2000 г. — за разработку интегральных схем на арсениде галлия)

Прокрутить вверх