Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова Российской академии наук

Сотрудники института являются высококвалифицированными специалистами в области проектирования, создания и измерения полупроводниковых СВЧ устройств и изделий терагерцовой фотоники

ИНСТИТУТ


В соответствии с «Протоколом совместного совещания РАН и РАСУ» от 21.09.2001 г. принято решение о формировании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), который создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109», и расширен 25.12.2012 г. «Постановление Президиума РАН №279», а с 26 декабря 2011 года переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук.

С 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН являлось Федеральное агентство научных организаций(ФАНО России)

Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 изменено название на Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук.

С 27.06.2018 г. учредителем ИСВЧПЭ РАН является Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (МИНОБРНАУКИ России) — распоряжение Правительства Российской Федерации от 27.06.2018 г. № 1293-р Приказом МИНОБРНАУКИ России от 06.08.2018 № 582 утвержден новый Устав Института.

В соответствии с распоряжением Правительства РФ от 07 февраля 2023 года № 268-р ИСВЧПЭ РАН​ включен в перечень организаций, в отношении которых федеральное государственное бюджетное учреждение «Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт» осуществляет от имени Российской Федерации полномочия учредителя и собственника имущества.

НАГРАДЫ СОТРУДНИКОВ ИНСТИТУТА

1978 — 2023 гг

«Премии Ленинского Комсомола» (1978 г. – за новые физические принципы создания твердотельных функциональных устройств)

«Премии имени А.А.Расплетина» (2015 г. – за серию работ «теоретические и практические основы создания монолитных интегральных схем со встроенными антеннами для миллиметрового диапазона длин волн)

«Медали Российской академии наук с премией для молодых ученых России» ( 2018 г. – за работу «Разработка и исследование квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона частот)»

Сотрудники ИСВЧПЭ РАН являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за 1999 г. (2000 г. — за разработку интегральных схем на арсениде галлия)

«Премия Правительства Москвы» за 2020 год

Семинар Raith & ИСВЧПЭ РАН

Постоянно действующий международный научно-практический семинар пользователей оборудования Raith: «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith:от идеи до реализации»

РОССИЙСКИЕ ПАРТНЕРЫ

ИОФ РАН им. А.М. Прохорова
РТУ МИРЭА
МФТИ, Центр фотоники и двумерных материалов
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
АО «НИИ «Полюс» им. М.Ф.Стельмаха»
ИФМ РАН
СПБАУ им. Ж.И. Алферова
НИЯУ «МИФИ»
СГУ им. Н.Г. Чернышевского
ТПУ
МГТУ им. Н.Э. Баумана
МГУ им. М.В. Ломоносова

Сотрудники института являются получателями грантов РНФ,
Президентских грантов и стипендий для молодых ученых

ЗАРУБЕЖНЫЕ ПАРТНЕРЫ

Королевский Университет Тохоку (Сендай, Япония)
Университет Айдзу (Айдзу, Япония)
Ренсселерский политехнический институт (Нью-Йорк, США)
Политехническая школа Монреаля (Монреаль, Канада)
Университет Южной Дании (Оденсе, Дания)
Университет Буффало (Нью-Йорк, США)
Университет Астон (Великобритания)
Университет Монпелье (Франция)

Полное наименование

Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук

Сокращенное наименование

ИСВЧПЭ РАН

 

Адрес

117105 Москва, Нагорный проезд, 7, стр.5

Телефоны

8 495 280-74-79 (Отдел кадров)
8 499 127-33-48 (Бухгалтерия)
8 495 280-74-79 (Отдел закупок)

Email

isvch@isvch.ru

Прокрутить вверх