Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)
https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51718
Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: gonchar@isvch.ru
Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника, «Лаборатории исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов»
Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Исследование и построение НЕМТ транзисторов и монолитных интегральных схем на их основе с высокой воспроизводимостью в полосе частот до 100 ГГц и выше.
Регион: Москва
Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Применение методов машинного проектирования НЕМТ и монолитных интегральных схем
оценка результатов интеллектуальной деятельности (патентов, публикаций) в России и за рубежом в области построения НЕМТ и монолитных интегральных схем.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом кандидата наук: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты):
Условия:
Заработная плата:
26 205 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Неполный день
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна
gonchar@isvch.ru
8(495) 280-74-79