Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности
Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Технология создания сверхвысокочастотных полевых транзисторов на основе нитрида галлия и построение их компактных моделей
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Задачи:
Исследования технологических процессов изготовления Т-образных затворов полевых транзисторов, исследования частотных и шумовых параметров полевых транзисторов на основе нитрида галлия, проведение измерений параметров изготовленных транзисторов, построение шумовых и нелинейных моделей транзисторов для анализа технологических процессов изготовления, а также для проектирования монолитных интегральных схем различных частотных диапазонов
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 5 шт.
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 5 шт.
Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79