Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей.
Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика», наличие степени, — 1 вакансия;
Заведующего лабораторией исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность «физика конденсированного состояния вещества», наличие степени — 1 вакансия;
Старший научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; наличие степени — 1 вакансия;
Старшего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе»; специальность — «физика конденсированного состояния вещества»; наличие степени -1 вакансия;
Научный сотрудник лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;
Научный сотрудник лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе; специальность — «физика твердого тела»; — 1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;
Младший научный сотрудник лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность – «физика конденсированного состояния вещества» — 1 вакансия;
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес:http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 31 мая 2013 г. по 31 июля 2013 г. включительно.
Телефон для справок: 8-495-280-74-79
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru