О нас пишут

Монолитный малошумящий усилитель

«Монолитный малошумящий усилитель x-диапазона на основе 0,15 МКМ GaAs p-HEMT технологии» Авторы: В.Г.Мокеров, В.Я.Гюнтер, С.Н.Аржанов, Ю.В.Федоров, М.Ю.Щербакова, Л.И.Бабак, А.А.Баров,М.В.Черкашин — […]

Монолитный малошумящий усилитель Читать дальше »

2010г Новости О нас пишут

НИИВТ им. С.А. Векшинского зарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети

НОЦ «Нанотехнологии в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» при НИИВТ им. С.А. Векшинского зарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети, http://www.rusnanonet.ru

НИИВТ им. С.А. Векшинского зарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети Читать дальше »

2010г Новости О нас пишут

«ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений

Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и

«ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений Читать дальше »

2010г Новости О нас пишут
Прокрутить вверх