Для легирования может использоваться кремний или олово, что позволяет получить предельную концентрацию n-типа до 1×1019 см-3. В число успешно выполненных и реализованных исследовательских и прикладных задач входит изготовление одно- и двухсторонне легированные псевдоморфные структуры с высокой подвижностью электронного газа в канале (P-HEMT), структуры с повышенным содержанием индия в канале на основе метаморфного буферного слоя (M-HEMT), низкотемпературный GaAs со сверхмалым временем жизни носителей заряда, сверхрешеточные структуры на основе InGaAs/AlGaAs, в том числе полностью напряженные, с малым временем жизни носителей заряда, HEMT структуры с профилем легирования в виде квазиодномерных каналов и др.
На установках также проводится эпитаксиальный рост полупроводниковых структур (LT-GaAs, InGaAs/InAlAs сверхрешетки) для создания терагерцовых источников и детекторов.
