- Разработка терагерцового квантово-каскадного лазера с длиной волны 100 мкм (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
- Исследование процессов формирования и электронных свойств квазиодномерных полупроводниковых наноструктур на основе дельта-легированных квантовых ям InGaAs/InAlAs (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
- Упругие напряжения в фотопроводящих структурах на основе InGaAs с нановставками InAs для создания высокоэффективных источников терагерцового излучения (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения: 2018-2019 гг.)
- Свидетельство Р.А. Хабибуллина на получение гранта Президента России
- Свидетельство А.Н. Клочкова на получение гранта Президента России
- Свидетельство Д.С.Пономарева на получение грантов Президента России
Гранты РФФИ
- 12-07-31100 мол_а Исследование механизмов рассеяния электронов в гетероструктурах с составными квантовыми ямами InyGa1-yAs (y=0,2-0,7) с несколькими гетеровставками InAs и GaAs (руководитель Е.А. Климов, сроки выполнения 2012-2013 гг.)
- 14-07-31108 мол_а Исследование электронного транспорта в гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/(Al)GaAs с композитным спейсерным слоем, содержащим наноразмерные барьеры AlAs (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2014-2015 гг.)
- 15-07-00110 А Исследование влияния зонного профиля гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/InAs/InGaAs на дрейфовую скорость электронов в сильных электрических полях (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2015-2016 гг.)
- 16-32-00552 мол_а Исследование электрофизических и кристаллографических свойств гетероструктур AlGaN/GaN для мощных СВЧ транзисторов (руководитель Н.А. Юзеева, сроки выполнения 2016 г.)
- 16-07-00187 А Исследование процессов генерации и детектирования терагерцового излучения в “низкотемпературных” метаморфных структурах с большим числом центров рассеяния (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
- 16-29-03033 офи_м Исследование и разработка новых конструкций наногетероструктур для плазмонных InP HEMT терагерцового диапазона частот (руководитель В.И. Рыжий, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
- 16-29-03294 Эпитаксиальные низкотемпературные наногетероструктуры InGaAs и InGaAs/InAlAs со сверхмалым временем жизни фотовозбуждённых носителей заряда для фотопроводящих антенн (руководитель Г.Б. Галиев, сроки выполнения 2016-2017 гг.)
- 17-32-80009 мол_эв_а Терагерцовый фотомиксер на основе InGaAs/InAlAs гетероструктур с искусственно созданными локальными деформациями для уменьшения времени жизни фотовозбужденных носителей (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
- 17-02-00070 А Разработка и исследование новых схем работы терагерцовых квантово-каскадных лазеров на базе GaAs/AlGaAs наногетероструктур c диагональными излучательными переходами (руководитель Р.А. Хабибуллин, сроки выполнения 2017-2018 гг.)
- 18-07-01426 A Исследование процессов низкоэнергетичного травления барьерных слоев гетеропары AlGaN/GaN в хлорсодержащей среде с источником индуктивно-связанной плазмы (руководитель А.Ю. Павлов, сроки выполнения 2018-2019 гг.)
- 18-07-01145 A Терагерцевый детектор на основе структур с нанонитями из атомов олова с квазиодномерным электронным транспортом (руководитель Д.С. Пономарев, сроки выполнения 2018-2019 гг.)
- 18-32-00157 мол_а Исследование влияния дефектов различного типа на рекомбинацию фотовозбуждённых носителей заряда в гетероструктурах с метаморфным буфером InAlAs (руководитель С.С. Пушкарев, сроки выполнения 2018 – 2019 гг.)
- 18-32-20207 мол_а_вед Полупроводниковые наноструктуры со встроенными продольными электрическими полями для генерации терагерцевого излучения под действием фемтосекундной лазерной накачки (руководитель А.Н. Клочков, сроки выполнения 2018 – 2019 гг.)
- 19-29-03003 мк Исследование влияния физико-химического воздействия на воспроизводимость основных электрических параметров мемристорных структур. (руководитель А. Н. Алёшин, сроки выполнения 2019-2021 гг.)
Гранты РНФ
- РНФ 23-91-06600 “Технология изготовления квантово-каскадных лазеров с двойным металлическим и поверхностно-плазмонным волноводами для генерации в терагерцовом диапазоне (от 2 до 5 ТГц)” (рук. Р.А. Хабибуллин), сроки выполнения 2023-2026
- РНФ 19-79-10240 “Оптико-терагерцовые фотопроводящие преобразователи коротких импульсов лазерного излучения (1.03-1.56 мкм) на основе сверхрешеточных гетероструктур InGaAs/InAlAs для создания компактных систем спектроскопии и визуализации” (рук. Д.С. Пономарев), сроки выполнения 2019-2024
- РНФ 22-19-00656 “Управление генерацией терагерцевого излучения в легированных (Al, Ga, In)As наногетероструктурах с плазмонными фотопроводящими антеннами посредством встроенного поперечного электрического поля” (рук. Е.А. Климов), сроки выполнения 2022-2025
- РНФ 24-29-00129 “Исследование условий возникновения электронной эмиссии полимерных нитей с наноостровковой топологий наногетероструктур металла” (рук. П.П. Мальцев), сроки выполнения 2023-2024
- РНФ 22-29-01158 “Исследование параметров полимерных нитей с гетероструктурным покрытием” (рук. П.П. Мальцев), сроки выполнения 2022-2023
- РНФ 18-79-10195 “Терагерцовые фотопроводящие антенны на основе новых физических принципов для создания систем диагностики злокачественных новообразований: технология изготовления, теоретические и экспериментальные исследования” (рук. Д.С. Пономарев), сроки выполнения 2018-2023
- РНФ 22-29-01158 Исследование параметров полимерных нитей с гетероструктурным покрытием (рук. П.П. Мальцев), сроки выполнения 2022-2023