Старший научный сотрудник лаборатории «Исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро-и наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе»
Кандидат технических наук (2017 г.) за исследование проблем качества разделения на кристаллы СВЧ монолитных интегральных схем на гетероструктурах AlGaN/GaN, изготовленных на подложках сапфира и карбида кремния (05.27.06 — технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники)
Образование:
1999-2005 гг. — высшее.
Московский институт радиотехники электроники и автоматики (технический университет). Факультет «Электроники и оптоэлектронной техники» (очная форма).
Квалификация: инженер по специальности «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы»
2005-2008 гг. — аспирантура
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук 05.27.01 — Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро-, наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
2012-2015 гг. — второе высшее (диплом с отличием)
Российский Государственный Гуманитарный Университет. Институт экономики управления и права. Факультет управления (очно-заочная форма). Бакалавр по специальности «Государственное и муниципальное управление»
Дополнительное образование:
окт. 2008 г. — компания Logitech Ltd (Шотландия)
Тренировочный курс по высокопрецизионной односторонней обработке свободным абразивом (шлифование и полирование) полупроводниковых пластин, использующихся в микро- и наноэлектронике.
апр. 2010 г. — Национальный исследовательский ядерный университет «Московский инженерно-физический институт» (НИЯУ МИФИ)
Курс «Управление результатами интеллектуальной деятельности»
01-02. 2018 г. — профессиональная переподготовка
ФГАОУ ДПО «Академия стандартизации, метрологии и сертификации» г. Москва
Квалификация: «Специалист по метрологии»
Научно-производственная деятельность:
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
2005– 2006 гг. инженер, инженер-исследователь ИСВЧПЭ РАН
ООО «НТЦ Амплитуда» (производство средств измерений, спец. оборудования, метрологического и программного обеспечения в сфере радиационного контроля, ядерной медицины и петрофизики)
2011 г. — инженер отдела разработки специального оборудования
Институт функциональной ядерной электроники при НИЯУ «МИФИ»
2010 г. – инженер
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН
2012 г. — инженер-исследователь
2013 г. — младший научный сотрудник
2018 г. – по н.в. старший научный сотрудник
Автор 20 научных работ