Клочков Алексей Николаевич

Старший научный сотрудник лаборатории «Исследования процессов формирования низкоразмерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5»
ИСВЧПЭ РАН.

К.ф.-м.н. (2015) – за исследование электронного спектра в наногетероструктурах InGaAs/InAlAs на подложках GaAs и InP.
Scopus
Google scholar

Научные интересы:
Физика полупроводников, молекулярно-лучевая эпитаксия, полупроводниковые приборы СВЧ и терагерцевого диапазона частот, двумерные, одномерные, нульмерные гетероструктуры.
Автор 25 статей в рецензируемых научных журналах и 5 патентов.

Научные достижения (премии, награды)
Стипендиат фонда поддержки образования и науки имени чл.-корр. РАН В.Г. Мокерова (2013 г., 2014 г.).
Получатель гранта Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых (2017 г.).

Руководство научными проектами
Грант Президента РФ «Исследование процессов формирования и электронных свойств квазиодномерных полупроводниковых наноструктур на основе дельта-легированных квантовых ям InGaAs/InAlAs», 2017 — 2018 гг (МК-2342.2017.2).
Грант РФФИ «Полупроводниковые наноструктуры со встроенными продольными электрическими полями для генерации терагерцевого излучения под действием фемтосекундной оптической накачки», 2018 – 2020 гг, 18-32-20207 мол-а-вед.

Учеба и педагогический стаж:
2003-2009 гг. – студент физического факультета МГУ имени М.В. Ломоносова (Кафедра физики полупроводников), специальность «физика конденсированного состояния».
2009–2012 гг. аспирант физического факультета МГУ имени М.В.Ломоносова на Кафедре физики полупроводников.

Научно-производственная деятельность:
2007 – 2007 гг. – инженер, ФГУП НПП «Пульсар».
2008 – по настоящее время – лаборант, инженер-исследователь, м.н.с , с.н.с ИСВЧПЭ РАН

Прокрутить вверх