Ежегодный форум AWR Design Forum (ADF)
Приглашаем принять участие в AWR Design Forum (ADF) 2019!
Подробнее (.pdf)
Результаты проведенного конкурса
В соответствии с конкурсом на вакантную должность ведущего научного сотрудника (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф от 04.10.2019 г. VAC 53954), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 30.10.2019 г.
Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:
— ведущий научный сотрудник – Матвеенко О.С. (1 ставку).
Протокол 9 от 30.10.2019 (.pdf)
Авторам и подписчикам журнала «Нано-и микросистемная техника»
Уважаемые аспиранты!
Приглашаем Вас публиковать статьи в журнале «Нано-и микросистемная техника».
Статьи публикуются через три месяца после поступления в редакцию и получения положительной рецензии редколлегии.
Главный редактор П. Мальцев
Авторам и подписчикам НМСТ (.docx)
ТГЦ СЕМИНАР
Постоянно действующий семинар «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцового диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем» проведен в виде заседания секции по терагерцовым квантово-каскадным лазерам (ТГц ККЛ) в рамках международной конференции “2D MATERIALS 2019 — International Congress on Graphene, 2D Materials and Applications” 30th September — 04th October 2019, Sochi, Russia, в которой приняли участие с приглашенными докладами сотрудники ИСВЧПЭ РАН В.И. Рыжий, Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев.
Программа (.pdf)
Объявление о проведении конкурса
Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)
https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_53954
Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 30 октября 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 4 октября 2019 года; — окончание приема: 25 октября 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: gonchar@isvch.ru
Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (1 ставку)
- Отрасль науки:
- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
- Тематика исследований:
Полный цикл разработки МИС СВЧ диапазона: исследования параметров HEMT транзисторов и создание их моделей, моделирование на их основе принципиальных схем и топологических проектов МИС, исследование характеристик готовых МИС.
Регион: Москва
Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
-
- Проведение опытно-конструкторских и научно-исследовательских работ в области разработки МИС СВЧ.
- Выбор технологических и конструктивных решений для проектирования МИС СВЧ.
- Измерение параметров тестовых HEMT-транзисторов, разработка их моделей.
- Схемотехническое и электродинамическое моделирование МИС СВЧ.
- Разработка топологических проектов МИС СВЧ для изготовления фотошаблонов с учетом технологических маршрутов ИСВЧПЭ РАН.
- Анализ измеренных характеристик МИС СВЧ.
- Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований.
- Подготовка материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау).
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом кандидата наук: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 5
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 7
Условия:
Заработная плата:
26 205,00 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Неполный день
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
Срок подачи заявок с 04.10.2019 г. по 25.10.2019 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна
8(495) 280-74-79