Участие в Международной конференция «Saratov Fall Meeting – 2019»

С 24 сентября по 27 сентября 2019 г. в г. Саратов, в Саратовском  национальном  исследовательском государственном университете  имени Н. Г. Чернышевского состоялась  Международная конференция  «Saratov Fall Meeting — 2019, секция  Advanced Materials for Optics and Biophotonics и   Terahertz Optics and Bio photonics»,  в которой приняли участие  сотрудники ИСВЧПЭ РАН с докладами. Лаврухин Д.В. с докладом  «Strain-induced superlattices ingaas/inalas for terahertz applications»,  Хабибуллин Р.А. с докладом  «Thz quantum cascade lasers based on novel designs and materials»,  Пономарев Д.С. с докладом « Light confinement in photoconductive antennas featuring plasmonic and dielectric structures»,  Глинский И.А. с докладом  « Sub-wavelength focusing of a fs-laser beam using dielectric particles».

Сотрудникам ИСВЧПЭ РАН выданы сертификаты Национального проекта «Наука»

Сотрудникам ИСВЧПЭ РАН Пономареву Д.С. и Хабибуллину Р.А. выданы сертификаты Национального проекта «Наука» о том, что они прошли конкурсный отбор на участие в Программе «Лидеры научно-технического прорыва», реализуемой Московской школой управления СКОЛКОВО в рамках проекта «Совершенствование кадрового потенциала руководящего состава научных и образовательных организаций высшего образования, подведомственных Минобрнауки России, в целях обеспечения глобальной конкурентоспособности»

17-я международная выставка по электронике, компонентам, оборудованию и технологиям

16-18 октября 2019 в Москве, в Экспоцентре состоится 17-я международная выставка по электронике, компонентам, оборудованию и технологиям.
Подробнее

Для  открытия  чат-бота  выставки CHIPEXPO-2019  нужно скачать и установить  на компьютер программу  Telegram Desktop   (tsetup.1.8.8.exe).
Ссылка для скачивания

ИСВЧПЭ РАН награжден дипломом в номинации «100 лучших изобретений России-2018»

Инновация ученых Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) вошла в ТОП-100 Роспатента по итогам 2018 года. Выдающимся признано создание детектора терагерцевого излучения на нанонитях олова на подложке арсенида галлия. В номинации «100 лучших изобретений России-2018» награжден дипломом патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Авторы: Бугаев Александр Сергеевич, Ячменев Александр Эдуардович, Пономарев Дмитрий Сергеевич, Хабибуллин Рустам Анварович, Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, Мальцев Петр Павлович за разработку «Наноразмерная структура с профилем легирования в виде нанонитей из атомов олова»
(патент Российской Федерации № 2650576)

Диплом (.pdf)
Роспатент (93 позиция)
Патент (.pdf)