Отечественные промышленные технологии
28.10.10 -29.10.10
Рабочее совещание «Отечественные промышленные технологии производства твердотельной СВЧ ЭКБ на основе нитридных эпитаксиальных структур: состояние и перспективы»
28.10.10 -29.10.10
Рабочее совещание «Отечественные промышленные технологии производства твердотельной СВЧ ЭКБ на основе нитридных эпитаксиальных структур: состояние и перспективы»
«В России есть твердотельная СВЧ-электроника. Памяти Владимира Григорьевича Мокерова»
(Электроника: Наука, Технология , Бизнес 4/2010 г )
«Широкополосные транзисторные усилители мощности СВЧ диапазона — смена поколений»
(А. Кищинский)
«Копланарные монолитные усилители Ка-диапазона на основе 0,13 мкм GaAs mHEMT-технологии» (Л.И. Бабак, Ю.В. Федоров, М.В. Черкашин, Ф.И. Шеерман, А.С. Бугаев, Д.Л. Гнатюк,А.А. Коколов, И.М. Добуш, К.С. Дмитриенко, А.С. Сальников, А.Э. Ячменев)
«Монолитный малошумящий усилитель x-диапазона на основе 0,15 МКМ GaAs p-HEMT технологии»
Авторы: В.Г.Мокеров, В.Я.Гюнтер, С.Н.Аржанов, Ю.В.Федоров, М.Ю.Щербакова, Л.И.Бабак, А.А.Баров,М.В.Черкашин — Научно-производственная фирма «Микран» г. Томск, Ф.И.Шеерман — Институт СВЧ полупроводниковой электроники РАН, г. Москва, Россия.
Опубликовано в сборнике трудов 17-ой Международной Крымской конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2007). 10-15 Сентября, Севастополь, Крым, Украина.
В докладе приводятся результаты работы по разработке и изготовлению монолитной интегральной схемы (МИС) малошумящего усилителя (МШУ) X-диапазона на основе 0,15 мкм GaAs p-HEMT технологии.
НОЦ «Нанотехнологии в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» при НИИВТ им. С.А. Векшинского зарегистрирован в Российской национальной нанотехнологической сети, http://www.rusnanonet.ru
Центр коллективного пользования «Исследование и научно-методическая поддержка вакуумно-технологических процессов современной индустрии и технологии СВЧ микро- и наноэлектроники» «ЦКП ИСВЧПЭ и НИИВТ» зарегистрирован в Департаменте развития приоритетных направлений науки и технологий Минобрнауки России, http://www.ckp-rf.ru