• «Ждать 5G осталось 2 года» (Т. Сайзер, Первая миля 3/2016)
• «Импортозамещение должно касаться хребта российской телекоммуникационной системы» (И.А. Лукин, Первая миля 3/2016)
• Разработка GaAs и SiGe СВЧ монолитных интегральных схем, библиотек элементов и модулей САПР в томском университете систем управления и радиоэлектроники(Бабак Л.И., Черкашин М.В., Шеерман Ф.И. и др.)
• Особенности проектирования гетеродина  с петлей ФАПЧ KU-диапазона (Баронов А.А., Шадский В.А)
• Расширение динамического диапазона малошумящего усилителя Х-диапазона (Кондукторов А.А., Кирпиченков А.И.)
• Анализ устойчивости ПС СВЧ диапазона к воздействию внешних факторов (Кагирина К.А., Федоров Ю.В.,. Лаврухин Д.В., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Рубан О.А)
• «Перспективы замены арсенидных МИС на нитридные» (Ю.В. Федоров, С.В. Михайлович, «Нано- и микросистемная техника», №5, 2016)
• «Фазовые шумы в СВЧ генераторах. Методы решения проблемы» (А. С. Ченакин)
• Томский «Микран» открыл завод им. В.Я. Гюнтера», Л. Павлова
• «МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах» Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев Наноиндустрия №3, 2015 (РЕКЛАМА)
• «Расчет и изготовление узкополосного СВЧ микроэлектромеханического переключателя для частотного диапазона 10…12 ГГц н подложках арсенида галлия» П.П. Мальцев, М.В. Майтама, А.Ю. Павлов, Н.В. Щаврук
• «Влияние параметров наногетероструктур и технологии изготовления на шумовые свойства AlGaN/GaN HEMT» Ю.В, Фёдоров, С.В. Михайлович
• «Монолитная интегральная схема усилителя со встроенной антенной для пятимиллиметрового диапазона длин волн», П.П. Мальцев, О.С. Матвеенко, Ю.В. Фёдоров, Д.Л. Гнатюк, Д.В. Крапухин, А.В. Зуев, С.Л. Бунегина
• «Разработка и исследование метаморфных InAlAs/InGaAs/InAlAs наногетероструктур на подложках GaAs для приборов миллиметрового диапазона длин волн», А.Э. Ячменев, А.С. Бугаев, Ю.В. Фёдоров, Р.А. Хабибуллин, Д.С. Пономарев, Г.Б. Галиев
• «Домасштабировались? экономика уменьшения топологий» (М. Макушин)
• «Технологии сотовой связи 5G. Что от них ждать?»
• «Перспективы миллиметрового диапазона для 5G в России»
• «Наноиндустрия 2014»(статья, реклама) (П.Мальцев , д.т.н., Ю.Федоров, Р.Галиев, С.Михайлович, Д.Гнатюк к.т.н)
• «Современное состояние и перспективы развития нитридных СВЧ-приборов миллиметрового диапазона за рубежом и в России» (Мальцев П.П., Федоров Ю.В.)
• «Перспективы создания приборов на основе гетероструктур (IN,AL,GA)N для радиоэлектронных комплексов миллиметрового диапазона волн» (Мальцев П.П.)
• «Модернизация производства для создания малошумящих и мощных усилителей диапазона 30 — 38 ГГц и 56 — 64Ггц» (Мальцев П.П.)
• «Перспективы создания систем на кристалле для СВЧ и КВЧ диапазонов частот на арсениде галлия» (Мальцев П.П., г. Новосибирск, 2012 г.)
• «Нанотехнологии для разработки монолитных интегральных схем в ИСВЧПЭ РАН 2002-2011гг.»
• «Разработана базовая технология изготовления грибообразного затвора полевого транзистора с длиной 37 нм»
• «Созданы принципиально новые метаморфные наногетероструктуры на основе InAlAs/InGaAs/GaAs »
• «Созданы усилители мощности КВЧ диапазона частот на новом типе нитридных структур AlGaN/AIN/GaN»
• «Изготовлен первый в России комплект копланарных mHEMT усилителей mm-диапазона волн на основе отечественной GaAs гетероструктурной 0,13 мкм mHEMT техгнологии ИСВЧПЭ РАН»
• «Широкополосный линейный малошумящий СВЧ-усилитель М421314»
• «Изготовлены первые в России монолитные малошумящие усилители (МШУ) X-диапазона с параметрами мирового уровня на основе отечественной 0,15 мкм GaAs pHEMT-технологии ИСВЧПЭ РАН»
• «Сравнение СВЧ параметров МИС МШУ на различных гетероструктурах»
• «Нанонити из атомов олова, встроенные в кристалл GaAs»