В соответствии с «Протоколом совместного совещания РАН и РАСУ» от 21.09.2001 г. принято решение о формировании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), который создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109», и расширен 25.12.2012 г. «Постановление Президиума РАН №279», а с 26 декабря 2011 года переименован в Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук.
С 2014 года учредителем ИСВЧПЭ РАН являлось Федеральное агентство научных организаций(ФАНО России).
Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 изменено название на Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук.
С 27.06.2018 г. учредителем ИСВЧПЭ РАН является Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (МИНОБРНАУКИ России) — распоряжение Правительства Российской Федерации от 27.06.2018 г.
№ 1293-р Приказом МИНОБРНАУКИ России от 06.08.2018 № 582 утвержден новый Устав Института.
Главной целью Института является проведение фундаментальных и прикладных научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной (КВЧ) полупроводниковой электроники.
Осуществление деятельности, связанной с правовой охраной и использованием результатов интеллектуальной деятельности, полученных Институтом, в соответствии с законодательством Российской Федерации.
Основными направлениями научных исследований Института в соответствие с «Постановление Президиума РАН
№ 109» от 16 апреля 2002 г. являются:
- электронные процессы в сверхвысокочастотных (СВЧ) приборах на квантово-размерных гетероструктурах и разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов;
- технология и физика квантово-размерных гетероструктур
- микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов
- расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных СВЧ-приборов на частоты до 200-250 ГГц и выше
- разработка гетероструктурных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) для широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т.д.
И расширены направления исследований в соответствие «Постановление Президиума РАН №279»
от 25.12.2012 г.» - исследование принципов функционирования и разработка СВЧ оптоэлектронных генераторов в частотном диапазоне от сотен мегагерц до сотен гигагерц
- расчет и моделирование систем на кристалле с интегрированными антеннами и усилителями для крайне высоких частот в диапазоне от 50 до 250 ГГц
- создание терагерцовых устройств на полупроводниковой электронике в частотном диапазоне от 300 до 900 ГГц
Сотрудники ИСВЧПЭ РАН являются лауреатами «Премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники» за 1999 г. (2000 г. — за разработку интегральных схем на арсениде галлия). «Премии Ленинского Комсомола» (1978 г. – за новые физические принципы создания твердотельных функциональных устройств), «Премии имени А.А.Расплетина» (2015 г. – за серию работ «теоретические и практические основы создания монолитных интегральных схем со встроенными антеннами для миллиметрового диапазона длин волн)» , «Медали Российской академии наук с премией для молодых ученых России» ( 2018 г. – за работу «Разработка и исследование квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона частот)»
В результате многолетних работ в ИСВЧПЭ РАН созданы:
- Физические основы и технология молекулярно – лучевой эпитаксии гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А3В5 с двумерным электронным газом для изготовления СВЧ- и КВЧ- приборов, включая HEMT, PHEMT и MHEMT на подложках GaAs и InP.
- Разработаны принципы проектирования и созданы библиотеки пассивных и активных элементов СВЧ и КВЧ МИС для перечисленных типов гетероструктур на подложках GaAs и InP , а также широкозонных полупроводников AlGaN/GaN и AlGaN/AlN/GaN, на подложках из сапфира и карбида кремния с рабочими частотами диапазонов 5-18 ГГц и 30-40 ГГц).
- Разработана технология изготовления транзисторов и МИС, базирующаяся на современной электронно-лучевой литографии (нанолитограф RAITH150-TWO, VOYAGER).Она позволяет изготавливать полевые транзисторы с длиной затворов до 50 нм и рабочими частотами до 100 ГГц на подложках GaAs и до 320 ГГц – на подложках InP.
- Дальнейшее развитие научно-исследовательских и технологических работ ИСВЧПЭ РАН в ближайшей перспективе будет связано с созданием приборов и систем с рабочими частотами диапазонов 56-64 ГГц, 71-76 ГГц, 81-86 ГГц, 94-96 ГГц и 115-130 ГГц, максимально использующих заложенные природой возможности полупроводниковых гетероструктур A3В5, а также продолжатся и исследования, направленные на создание приборов субмиллиметрового диапазона длин волн (200 -300 ГГц и выше).
Публикационная активность научных работников ИСВЧПЭ РАН
|
Год |
Ядро РИНЦ |
||
|
2013 |
10 |
10 |
9 |
|
2014 |
17 |
16 |
22 |
|
2015 |
19 |
24 |
26 |
|
2016 |
24 |
32 |
32 |
|
2017 |
30 |
33 |
44 |
|
2018 |
26 |
37 |
32 |