Конкурс на замещение вакантных должностей

2011г

Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

Заведующего лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «инженер-физик»; наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «инженер-физик» наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией Исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ-транзисторов на их основе; специальность — «инженер-физик» наличие степени — 1 вакансия;

Научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «инженер электронной техники»; -1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «физика твердого тела» — 1 вакансия;

Младший научный сотрудник лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика твердого тела» наличие степени — 1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5

Срок подачи документов – с 16 декабря 2011 г. по 16 февраля 2012 г. включительно.

Телефон для справок: 8-499-123-62-22

Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантных должностей

2011г

Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей, дополнительно выделенных Российской академией наук для молодых ученых, кандидатов наук в возрасте до 35 лет:

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы» -1 вакансия;

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «физика твердого тела» -1 вакансия;

Младшего научного сотрудника лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «автоматизированные системы обработки информации и управления» -1 вакансия;

Научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах» , наличие степени кандидата наук; -1 вакансия;

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 26 августа по 26 октября 2011 г. включительно.
Телефон для справок: 8-499-123-62-22

Конкурс на замещение вакантных должностей

2011г

Учреждение Российской академии наук Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН объявляет конкурс на замещение вакантных должностей, дополнительно выделенных Российской академией наук для молодых ученых, кандидатов наук в возрасте до 35 лет:

Младшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов; специальность — «твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах» -1 вакансия;

Cтаршего научного сотрудника лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС; специальность — «системы автоматизации проектирования (по отраслям)» -1 вакансия.

Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, корп. 8/0.
Срок подачи документов – с 18 марта по 18 мая 2011 г. включительно.
Телефон для справок: 8-499-123-62-22
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru