Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей. 29.06.2017 г.

Главный научный сотрудник института; «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов»
наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика — 1 вакансия.

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие степени доктора наук; наличие звания члена – корреспондента РАН или академика
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

С победителем конкурса будет заключен срочный трудовой договор.
Срок подачи документов в Конкурсную комиссию– 2 месяца со дня опубликования на сайте

Социальный пакет: Да
Тип занятости:Полная занятость
Режим работы: Полный день.

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Конкурс на замещение вакантной должности

• Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
• Должность:
Заведующий лабораторией
• Отрасль науки:
1. Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
2. Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
• Тематика исследований:
Разработка технологических принципов создания нового поколения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP и GaAs с разными кристаллографическими ориентациями для приборов СВЧ электроники (диапазон 100 – 300 ГГц). Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц диапазона сигнала (0.5 – 5 ТГц)
• Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
• Задачи:
1. Выявление особенностей кристаллической структуры, кинетики релаксации фотовозбуждённых носителей, генерации микроволновых электромагнитных колебаний в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InGaAs, выращенных на подложках GaAs и InP с ориентацией (100) и (n11)А.
2. Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , а также технологических условий эпитаксиального роста на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наногетеростурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs.
3. Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.

• Критерии оценки:
• Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом доктора физико-математических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 100
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 90
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 6

Условия:
• Заработная плата: 32 496 рублей/месяц
• Стимулирующие выплаты: В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
• Трудовой договор: Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
• Социальный пакет: Да
• Тип занятости: Полная занятость
• Режим работы: Полный день
• Срок подачи заявок с 21.02.2017 г. по13.02.2017 г.
• Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Конкурс на замещение вакантных должностей

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей:

Заведующего лабораторией «Лаборатория исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС на их основе», наличие степени, — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией «Лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5»
наличие степени — 1 вакансия;

Заведующего лабораторией «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах», наличие степени — 1 вакансия;

Старший научный сотрудник лаборатории «Лаборатория исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах», наличие степени — 1 вакансия;

Старшего научного сотрудника лаборатории «Лаборатория исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5», наличие степени -1 вакансия;

Ведущий научный сотрудник «Лаборатория исследования процессов электронной нанолитографии формирования наноструктур и сверхкороткоканальных нанотранзисторов», наличие степени -1 вакансия;

Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом доктора или кандидата физико-математических или технических наук
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты)

Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на на портале вакансий адресу http://ученые-исследователи.рф

Регион: Москва
• Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Срок подачи документов – с 04 октября 2017 г. по 24 октября 2017 г. включительно.

Телефон для справок: 8-495-280-74-79 Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru

Конкурс на замещение вакантной должности

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.
Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Изучение электрофизических и структурных свойств наногетероструктур на основе A3B5.
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Задачи:
Проведение электрофизических измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Проведение структурных измерений наногетероструктур на основе A3B5 и их анализ.
Построение теоретических моделей.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— справка об окончании аспирантуры: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 3 шт.
— участие в исполнителя работ в НИОКР: 1 шт.
Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по 23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79

Конкурс на замещение вакантной должности

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантной должности.

Должность:
Младший научный сотрудник
Отрасль науки:
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
Тематика исследований:
Исследование и разработка комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС на их основе.
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5

Задачи и критерии:
Задачи:
Разработка, проведение и контроль технологических процессов нанесения тонких пленок в вакууме методом резистивного и электронно-лучевого испарения.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом об окончании специалитета.
— трудовой стаж не менее одного года работы по специальности.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 5 шт.

Условия:
Заработная плата:
14 589 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Срок подачи заявок с 23.01.2017 г. по23.03.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Федотова Екатерина Петровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79