Федеральное государственное автономное научное учреждение Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН) объявляет конкурс на замещение должностей научных работников.
https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_58630
Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 27 января 2020 года в 11:00, по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 31 декабря 2019 года; — окончание приема: 24 января 2020 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: otdelkadrov@isvch.ru
Конкурс объявляется на должность заведующего «Лабораторией исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений А3В5; (1 ставка)
Отрасль науки:
Разработка технологических принципов создания нового поколения наногетероструктур InAlAs/InGaAs на подложках InP и GaAs, в том числе с различными кристаллографическими ориентациями, для приборов СВЧ электроники (диапазон 90 – 300 ГГц).
Разработка физических основ технологии изготовления GaAs и/или InGaAs, выращенных при пониженных температурах роста, для создания генераторов и детекторов ТГц диапазона сигнала (0.5 – 5 ТГц).
Разработка и исследование технологических основ и принципов создания наногетеростуктур для полевых транзисторов на основе полупроводников A3B5 группы.
Регион: Москва
Населенный пункт: 117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Определение влияния ориентации подложек GaAs и InP , технологических условий эпитаксиального роста и послеростового отжига на дефектность кристаллической структуры и морфологию поверхности наностурктур на основе низкотемпературноых слоёв GaAs и InGaAs, а также на основе множественных квантовых ям LT-InGaAs/InAlAs.
Разработка материала со сверхбыстрым фотооткликом для изготовления фотопроводящих антенн.
Исследование влияния технологических процессов, используемых при изготовлении эпитаксиальных полупроводниковых структур, на их электрофизические свойства и характеристики в зависимости от режимов их реализации.
Исследование структурных, оптических и электрофизических свойств выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии структур.
Проведение анализа технического задания на разработку МИС СВЧ в части требований, предъявляемых к материалам и типам наногетероструктур
Подготовка отчетной документации и статей в рецензируемые научные журналы на основе проведенных исследований, а также материалов для регистрации охраноспособных результатов интеллектуальной деятельности (патенты, ТИМС, ноу-хау)
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом кандидата физико-математических наук: 1 шт.
— опыт научной и организаторской работы не менее 5 лет
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 10
Условия:
Заработная плата:
30 910,00 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Полный день
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
Срок подачи заявок с 31.12.2019 г. по 24.01.2020 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна
тел.8-495-280-74-79
otdelkadrov@isvch.ru
