12.12.2018 прошло заседание научного совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания»
Вышла монография «Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5» / Под редакцией д.т.н., профессора П.П. Мальцева Москва: ТЕХНОСФЕРА, 2018. – 524 с. ISBN 978-5-94836-526-8
13-16 ноября 2018 г. в Санкт-Петербурге прошел 6-й Российский симпозиум с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». В симпозиуме принял участие ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин с докладом «Исследование спектров излучения квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона на основе GaAs/AlGaAs». С программой симпозиума можно ознакомится на сайте
01 ноября 2018 г. заместитель директора Д.С. Пономарев принял участие в торжественном мероприятии, посвященном 100-летнему юбилею ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Онлайн-трансляция поздравления коллег из разных институтов
13-14 ноября 2018 г. в Москве состоится общее собрание членов РАН.
На 12 ноября 2018 Г. намечается проведение общих собраний отделений РАН
Директорам научных учреждений, находящихся под научно-методическим руководством ОНИТ РАН Профессорам ОНИТ РАН
Сообщаем, что в соответствии с постановлением президиума РАН от 18 сентября
2018 г. № 130 «Об общем собрании членов РАН 13-14 ноября 2018 г. намечается проведение Общего собрания РАН, на 12 ноября 2018 г. – проведение общих собраний отделений РАН (см. на сайте РАН и во вложении).
Общее собрание ОНИТ РАН будет проходить с (внимание!) 15-00 по адресу:
Москва, Ленинский пр., 32-а, зал будет сообщен дополнительно.
ВНИМАНИЕ:
Заказ гостиницы теперь производится через «свою» организацию на электронную почту reserv@maan.ru или на факс. 8-495-427-55-00.
Справки по тел. 8-495-989-60-09:
Ирина Николаевна,
Полина.
Начальник отдела — заместитель академика-секретаря ОНИТ РАН по научно-организационной работе
к.т.н. Н.В. Попенко
Повестка (.pdf)
Повестка (.doc)