Участие в симпозиуме по Полупроводниковым лазерам

13-16 ноября 2018 г. в Санкт-Петербурге прошел 6-й Российский симпозиум с международным участием «Полупроводниковые лазеры: физика и технология». В симпозиуме принял участие ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН, к.ф.-м.н. Р.А. Хабибуллин с докладом «Исследование спектров излучения квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона на основе GaAs/AlGaAs». С программой симпозиума можно ознакомится на сайте

Прокрутить вверх