С 4-7 декабря 2012 года в рамках Международного сотрудничества между Российской и Венгерской академиями наук состоялась конференция в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт (MTA TTK, Institute for Technical Physics and Materials Science of Hungarian Academy of Sciences, http://www.mfa.kfki.hu/en)
С 4-7 декабря 2012 года в рамках Международного сотрудничества между Российской и Венгерской академиями наук была организована поездка сотрудников ИСВЧПЭ РАН в Институт технической физики и материаловедения в г. Будапешт (MTA TTK, Institute for Technical Physics and Materials Science of Hungarian Academy of Sciences, http://www.mfa.kfki.hu/en). В ходе визита сотрудникам ИСВЧПЭ РАН был продемонстрирован научно-технический потенциал Института технической физики и материаловедения — чистые помещения с классом чистоты ISO 6 и 8, учебные и научные лаборатории сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии, атомной-силовой микроскоп, физико-химическая лаборатория получения нано и био-частиц, измерительные лаборатории (газовые сенсоры) и др. В свою очередь, сотрудники ИСВЧПЭ РАН к.ф.-м.н. Пономарев Д.С. и Клочков А.Н. подготовили доклады для венгерской стороны о состоянии научных исследований в области полупроводниковых гетероструктур типа А3В5, проводимых в ИСВЧПЭ РАН.
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук объявляет конкурс на замещение вакантных должностей
Заведующего лабораторией лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «автоматизированные системы обработки информации и управления»; наличие степени — 1 вакансия;
Заведующего лабораторией исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ –транзисторов и МИС»; специальность «электронное машиностроение», наличие степени — 1 вакансия;
Заведующего лабораторией лаборатория фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений А3В5; специальность — «физика металлов» наличие степени — 1 вакансия;
Старшего научного сотрудника лаборатории исследования процессов формирования низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах соединений A3B5; специальность — «микроэлектроника и полупроводниковые приборы»; наличие степени -1 вакансия;
Старший научный сотрудник лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах; специальность — «прикладные математика и физика»; наличие степени — 1 вакансия;
C победителями конкурса на должность научного сотрудника будет заключен срочный трудовой договор по соглашению сторон.
Условия конкурса определяются Положением «О порядке проведения конкурса на замещение должностей научных работников организаций, подведомственных Российской академии наук» (утверждено приказом Министерства образования и науки Российской Федерации № 145, Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации № 353, Российской академии наук № 145/353/34 от 23 мая 2007 г., см. выше).
Заявления и документы в соответствии с перечнем, приведенном на сайте РАН (электронный адрес: http://www.ras.ru/vacancy.aspx) направлять на имя заместителя директора по научной работе к.т.н. Сеничкина А.П. по адресу: 117105, Москва, Нагорный пр., д. 7, стр.5
Срок подачи документов – с 24 августа 2012 г. по 24 октября 2012 г. включительно.
Телефон для справок: 8-499-123-62-22
Сайт ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru