Третья международная конференция STRANN-2012

26.07.12
С 10 по 12 октября в Санкт-Петербурге состоится третья международная конференция STRANN-2012 (State-of-the-artTrendsofScientificResearchofArtificialandNaturalNanoobjects – «Приоритетные направления научных исследований нанообъектов искусственного и природного происхождения»), проводимая Санкт-Петербургским Государственным Университетом (СПбГУ, http://www.nano.spbu.ru) совместно с ОПТЭК. Подробнее, 1st announcement and Call for Paper STRANN 2012.pdf

XI Всероссийская научно-техническая конференция

ФГУП «НПП «ПУЛЬСАР» совместно с Московским НТОРЭС им. А.С.Попова организует XI Всероссийскую научно-техническую конференцию: «Твердотельная электроника, сложные функциональные блоки РЭА».
Конференция состоится с 17 по 19 октября 2012 года в г. Дубне.
Приглашаем сотрудников Вашего предприятия принять участие в конференции. Приглашение
Тезисы докладов, представленные в Оргкомитет до 7 сентября 2012 года, будут изданы в виде сборника материалов до начала конференции. Правила оформления тезисов, а также другая необходимая информация представлена в приложении. Более подробную информацию о конференции Вы можете получить на сайте http://www.pulsarnpp.ru.
Телефон для справок: (495) 365-04-70.
С уважением, Организационный комитет конференции

Научно-практический семинар

В рамках российско-германского года науки и в связи с 10-летием ИСВЧПЭ РАН, состоялся научно-практический семинар «Электронно-лучевая литография на оборудовании Raith GmbH: от идеи до реализации», проводимых Отделением нанотехнологий и информационных технологий РАН при поддержке компании ОПТЭК.

Место проведения семинара:
Москва, Ленинский проспект, 32А, корп. Б, 2-й этаж Президентский зал здания Российской академии наук.

Программа семинара включает в себя обзорные доклады о возможностях литографического оборудования, представляемого компанией Raith, а также представление результатов использования оборудования для изготовлении различных наноструктур. Участники семинара имеют уникальную возможность посетить лабораторию Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН (ИСВЧПЭ РАН) с 29 мая по 2 июня.
«Фотоотчет о награждении грамотами сотрудников ИСВЧПЭ РАН» 1 2 3