В соответствии с «Протоколом совместного совещания РАН и РАСУ» от 21.09.2001 г. принято решение о формировании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН), который создан 16 апреля 2002 года «Постановление Президиума РАН № 109»
14-17 марта 2022 г. Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Р.А. Хабибуллин и А.К. Долгов приняли участие в XXVI симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» с приглашенным и стендовым докладами. С докладом по ТГц квантово-каскадным лазерам можно ознакомится по ссылке
29 Марта ведущий научный сотрудник ИСВЧПЭ РАН Р.А. Хабибуллин принял участие в Деловой программе выставки «Фотоника. Мир лазеров и оптики» с докладом «Терагерцевые квантово-каскадные лазеры: 20 лет стремительного развития и ближайшие перспективы» — https://www.photonics-expo.ru/ru/events/
Сотрудники ИСВЧПЭ РАН С.С. Пушкарев, Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев приняли участие в ХII-м Всероссийском семинаре по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн с устными и приглашенными докладами
Физиками из России, Японии, Польши и США предложены новые физические концепции плазмонных метаматериалов для графеновых транзисторов и лазеров