Группой физиков под руководством сотрудника ИСВЧПЭ РАН В.И. Рыжия предложены новые конструкции n+–i–n–n+ полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе двумерных материалов. Работа выполнена в тесной кооперации с учеными из США и Японии.
Сотрудниками ИСВЧПЭ РАН подготовлен приглашённый обзор (invited review) для журнала Journal of Physics D: Applied Physics, обзор по терагерцовым детекторам на основе полупроводниковых материалов с конфайментом носителей заряда.
Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и Р.А. Хабибуллин по приглашению Координационного совета по делам молодежи в научной и образовательной сферах Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию приняли участие в работе Конгресса молодых ученых в г. Сочи в период 7-11 декабря
Подробнее о конгрессе: https://молодыеученые.годнауки.рф/
Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Д.С. Пономарев и Р.А. Хабибуллин приняли участие в работе III Форума ученых государств-участников СНГ – 2021, проходившего в г. Минск, Республика Беларусь 24-27 ноября
Сотрудники ИСВЧПЭ РАН Р.А. Хабибуллин и Д.С. Пономарев выступили с приглашенными докладами на крупной международной конференции The 7th Nano Today Conference, которая прошла в Гуанчжоу, Китай
https://www.elsevier.com/events/conferences/nano-today-conference/programme/speakers