Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность заместителя директора по научной работе (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 04.09.2019 г. VAC 52504), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 27.09.2019 г.

Признать победителями конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— заместитель директора по научной работе  — 1 вакансия –  Пономарев Дмитрий Сергеевич;

Протокол (.pdf)

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсами на вакантные должности ведущего научного сотрудника лаборатории № 102, (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51718), научного сотрудника лаборатории № 104 (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51710), утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 05.09.2019 г.

Признать победителями конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

— ведущий научный сотрудник лаборатории № 102 «Лаборатории исследования процессов электронной литографии формирования сверхкороткоканальных нм-транзисторов» — 1 вакансия – Лисицкий Антон Павлович;

— научный сотрудник лаборатории № 104 «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» — 1 вакансия – Зенченко Николай Владимирович;

Протокол 6
Протокол 7

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсами на вакантные должности главного научного сотрудника лаборатории № 103 (конкурс на сайте www.isvch.ru  от 21.06.2019 г.), ведущего научного сотрудника лаборатории № 106, (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51706), научного сотрудника лаборатории № 103 (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51713), научного сотрудника лаборатории № 105 (конкурс на сайте www.ученые-исследователи.рф  от 02.08.2019 г. VAC 51714),  утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 28.08.2019 г.

Признать победителями конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук:

—  главный научный сотрудник  лаборатории № 103 «Лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе» — 1 вакансия – Рыжий Виктор Иванович;

. — ведущий научный сотрудник лаборатории № 106 «Лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных  СВЧ-транзисторов и МИС на их основе» — 1 вакансия – Редькин Сергей Викторович;

—  научный сотрудник  лаборатории № 103 «Лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе» — 1 вакансия – Глинский Игорь Андреевич;

— научного сотрудника «Лаборатории фундаментальных исследований низко-размерных электронных систем в наногетероструктурах полупроводниковых соединений  А3В5» (лаборатория № 105) – 1 вакансия – Рубан Олег Альбертович.

 
Протокол 2
Протокол 3
Протокол 4
Протокол 5

Результаты проведенного конкурса

В соответствии с конкурсом на вакантную должность младшего научного сотрудника лаборатории № 104 (конкурс на сайте www.isvch.ru от 31.01.2019 г.) утвердить результаты проведенного конкурса по протоколу Конкурсной комиссии от 08.04.2019 г.

Признать победителем конкурса на замещение вакантной должности Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН:

— младший научный сотрудник «Лаборатории исследований принципов моделирования и проектирования наногетероструктурных СВЧ- транзисторов и МИС, и исследования их характеристик в см- и мм- диапазонах» (лаборатория № 104) » — 1 вакансия – Михалева Артема Олеговича

«Перераспределение энергии»: российские учёные создали мощный излучатель для ТГц-спектрометра

Российские учёные увеличили эффективность отечественного терагерцевого спектрометра на 60% по сравнению с иностранным аналогами. Добиться этого удалось за счёт модификации основного компонента прибора — излучателя. Это позволит не просто заместить импорт такого оборудования, а повысить мощность спектрометров. Такая аппаратура широко применяется для определения химического состава продуктов в пищевой промышленности, в научных изысканиях, экологических исследованиях, криминалистике и ряде других сфер.


Gettyimages.ru © Mordolff

Группа учёных из МФТИ, Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В.Г. Мокерова РАН, МГТУ им. Н.Э. Баумана и Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН создала терагерцевый излучатель для спектрометров, превосходящий аналоги по эффективности на 60%. Разработка позволит не только наладить в будущем выпуск отечественных терагерцевых спектрометров, но и улучшить их характеристики по сравнению с импортными аппаратами. Об этом RT сообщили в пресс-службе МФТИ. Исследование поддержано грантом Российского научного фонда. Результаты опубликованы в журнале Optics Letters.

Напомним, спектрометры широко применяются для анализа химического состава продуктов и напитков в пищевой промышленности, определения возраста и подлинности произведений искусства, в научных и экологических исследованиях, а также в криминалистике. При этом большая часть спектрометров, включая терагерцевые, импортируется в Россию. Сейчас российские учёные разрабатывают оптоэлектронную составляющую для отечественного терагерцевого спектрометра.

Все спектрометры такого типа состоят из излучателя и приёмника и работают по принципу генерации терагерцевого излучения (ТГц-излучения). Это излучение относят к субмиллиметровому диапазону, его длина волны — около 1 мм и меньше. Чтобы его создать, необходимо возбудить электроны в полупроводнике с помощью особых коротких импульсов, например лазером. Возникший ток и генерирует излучение нужного диапазона.

Однако, по словам учёных, главная проблема подобных устройств — низкая эффективность. Обычно только малая доля исходных импульсов преобразуется в излучение, большая часть энергии теряется в процессе.


Рисунок. При увеличении толщины решетки антенны мощность получаемого на выходе излучения возрастает на 60%
© Пресс-служба МФТИ

Чтобы решить эту проблему, разработчики решили модифицировать электроды в излучателе. Обычно они представляют собой антенны в форме решётки с субволновыми размерами, толщина которой должна быть в пределах 100 нм. Авторы сначала провели численное моделирование и выяснили, что толщина электродов влияет на качество излучения. Затем они сделали элемент с электродами толщиной 170 нм — и мощность излучения увеличилась на 60%.

«Это поменяло принципиально всю физику работы. Мы показали, что возникает очень интересный эффект. Когда излучение попадает в тонкие щели между металлическими полосками, то эти щели служат волноводами для излучения накачки (перевод атомов в возбуждённое состояние за счёт энергии внешнего источника. — RT). Возбуждаются более высокие моды (типы колебаний. — RT) плазменных колебаний, которые приводят к сильному перераспределению энергии в полупроводнике. А это ведёт к тому, что большее количество электронов высвобождается. Соответственно, увеличивается ток и увеличивается излучаемая мощность», — пояснил в беседе с RT заместитель директора ИСВЧПЭ РАН, старший научный сотрудник лаборатории квантово-каскадных лазеров МФТИ Дмитрий Пономарёв