Результаты интеллектуальной деятельности (151018)
Правообладатель РИД ИСВЧПЭ РАН Патенты на полезную модель 2013 Полупроводниковая наногетероструктура In0.52Al0.48AsInXGa1-XAs с составной активной областью In0.53Ga0.47As/InAs/In0.53Ga0.47As/ InAs/In0.53Ga0.47As с […]
Результаты интеллектуальной деятельности (151018) Читать дальше »