13 декабря 2017 г. в ИСВЧПЭ РАН ( г. Москва, Нагорный проезд, д. 7, стр. 5, 3-й этаж, комната 502) в 14: 30 состоится заседание постоянно действующего семинара «Потенциальные возможности создания наногетероструктур для терагерцевого (ТГц) диапазона частот (свыше 300 ГГц) телекоммуникационных систем»
Руководитель семинара: член-корреспондент РАН, д.ф.-м.н. В.И. Рыжий.
Тема семинара: «Преобразование лазерного излучения в ТГц в фотопроводящих материалах на основе GaAs»
Программа семинара (.doc)