Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)
https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51713
Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Конкурс объявляется на должность научного сотрудника, «Лаборатории исследования и разработки МЛЭ технологии наногетероструктурных квантовых ям и «мощных» СВЧ – транзисторов на их основе»
Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Разработка технологических принципов создания генераторов и детекторов ТГц излучения
(0.5 – 5 ТГц) на основе SI GaAs, LT GaAs и наногетероструктур InAlAs/InGaAs выращенных на подложках InP и GaAs.
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Задачи:
Разработка и проектирование фотопроводящих источников ТГц излучения на основе SI GaAs, LT GaAs и наногетероструктур InAlAs/InGaAs.
Выявление особенностей генерации поверхностных плазмонных волн в эпитаксиальных наногетероструктурах на основе низкотемпературных слоёв GaAs и InAlAs/InGaAs.
Исследование влияния суб-волновой фокусировки оптического излучения диэлектрическими частицами на эффективность фотогенерации в наногетероструктурах.
Исследование динамики тепловых процессов в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе материалов A3B5, генераторах и детекторах ТГц диапазона частот.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях:20
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК:16
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 1
Условия:
Заработная плата:
17 413 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный (эффективный контракт)
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет: Да
Тип занятости: Полная занятость
Режим работы: Полный день
Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2018 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79