Объявление о проведении конкурса на замещение должностей научных работников федерального государственного автономного научного учреждения Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г.Мокерова Российской академии наук (ФГАНУ ИСВЧПЭ РАН)
https://ученые-исследователи.рф ВАКАНСИЯ ID VAC_51706
Место и дата проведения конкурса. Конкурс проводится 28 августа 2019 года по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 Зал заседаний Ученого совета (антресоль 2 этажа, каб.№8)
Дата начала и окончания приема заявок для участия в конкурсе: — начало приема: 2 августа 2019 года; — окончание приема: 23 августа 2019 года. Прием и регистрация заявок осуществляется в отделе кадров ИСВЧПЭ РАН по адресу: 117105, г. Москва, Нагорный проезд д.7, стр.5 (3 этаж, каб.№14), тел.8-495-280-74-79
e-mail: iuhfseras2010@yandex.ru
Конкурс объявляется на должность ведущего научного сотрудника, «Лаборатории исследования и разработки комплексной технологии формирования полупроводниковых микро- и наноструктур, малошумящих и мощных наногетероструктурных СВЧ-транзисторов и МИС на их основе»
Отрасль науки:
Нанотехнологии, нанобиотехнологии, наносистемы, наноэлектроника и нанофотоника.
Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах.
Тематика исследований:
Исследование и разработка прецизионных плазмохимических процессов травления и осаждения материалов с целью оптимизации технологических процессов для создания приборов СВЧ электроники. СВЧ ЭЦР процессы травления, СВЧ плазменные процессы формирования слоев 3С-SiC на кремнии, лазерные плазмохимические процессы, травление поликристаллического алмаза, сапфира и разработка соответствующих экспериментальных технологических установок.
Регион:
Москва
Населенный пункт:
117105, г. Москва, Нагорный проезд, д.7, стр.5
Задачи и критерии:
Задачи:
Исследование и разработка СВЧ ЭЦР плазменных процессов травления материалов микроэлектроники и соответствующих экспериментальных установок.
Исследование и разработка лазерных плазмохимических процессов травления применительно к фрагментированию пластин на кристаллы поликристаллического алмаза и сапфира.
Критерии оценки:
Квалифицированные требования:
— диплом о высшем образовании: 1 шт.
— диплом кандидата наук: 1 шт.
— наличие докладов в общероссийских и/или зарубежных научных конференциях: 3
–– наличие опубликованных статей в рецензируемых журналах из перечня ВАК: 3
–– наличие результатов интеллектуальной деятельности (патенты): 6
Условия:
Заработная плата:
26 205 рублей/месяц
Стимулирующие выплаты:
В соответствии с Положением об оплате труда работников ИСВЧПЭ РАН
Трудовой договор:
Срочный
— на период 5 (годы и месяцы)
Социальный пакет:
Да
Тип занятости:
Полная занятость
Режим работы:
Неполный день
Заявления и документы направлять в соответствии с перечнем, приведенном на портале Сайта ИСВЧПЭ РАН: www.isvch.ru
Срок подачи заявок с 02.08.2019 г. по 23.08.2017 г.
Лицо для получения дополнительных справок:
Гончар Юлия Александровна
iuhfseras2010@yandex.ru
8(495) 280-74-79